Showing 25 of 179 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GG
Shikues Semiconductor
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1 | Reverse Voltage 50-1000V, Forward Current 1A, surface mount, low profile, glass passivated, lead free, RoHS compliant. | US1GG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GL
JCET Group
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1 | US1AL through US1ML high efficient rectifier diodes in SOD-123FL package, with repetitive peak reverse voltage from 50V to 1000V, average forward current 1A, and fast recovery time, suitable for surface mount applications. | US1GL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Ultra-fast surface mount rectifier diode in SMA (DO-214AC) package, 50-1000V peak repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified current, 30A non-repetitive surge current, low forward voltage drop, and 50ns reverse recovery time. | US1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN | US1G-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1GF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GW-R2-10001
PanJit Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, | US1GW-R2-10001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G
NXP Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G-G
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), | US1G-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode | US1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GF
Bytesonic Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | US1GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G-Q
Diotec Semiconductor AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1G-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FKC2,5/4-STBD:US1-GND
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) | FKC2,5/4-STBD:US1-GND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GE-TP
Micro Commercial Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | US1GE-TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GF-AHT&R
Continental Device India Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | US1GF-AHT&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GR3
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1GR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GE3G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1GE3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G
PRO-AN Electronic Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM) | US1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GWG_R1_10001
PanJit Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | US1GWG_R1_10001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GE2G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1GE2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GHM2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1GHM2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GLTR
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | US1GLTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount ultra-fast rectifier diodes with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified output current, low forward voltage drop, and reverse recovery time of 50 to 75ns.Surface mount ultra-fast rectifier diode with 50 to 1000V repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified current, 30A non-repetitive surge current, 1.3V forward voltage drop at 1.0A, and 50ns reverse recovery time.Surface mount ultra-fast rectifier diodes with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified current, 30A non-repetitive peak forward surge current, low forward voltage drop, and 50ns reverse recovery time. | US1GF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1GF
JCET Group
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1 | 1A average forward current high efficient rectifier diode in SMAF package with 50V to 1000V repetitive peak reverse voltage and low forward voltage drop suitable for surface mount applications. | US1GF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1G (UF1G)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | UF1G ultrafast recovery rectifier diode in SMA package features 400V peak reverse voltage, 1A average forward current, 50ns reverse recovery time, low forward voltage drop, and glass-passivated construction for high reliability. | US1G (UF1G) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||