Showing 25 of 164 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305AL-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2305AL-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306L-3.3V(DIP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit | UT2306L-3.3V(DIP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2309G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2304G-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2304G-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2302G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2302G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2304G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2304G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2304L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2304L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305L-LV-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2305L-LV-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2309-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2309L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2308L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2308L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305AG-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2305AG-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2301G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2301G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309A-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2309A-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2308ZG-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2308ZG-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306-5.0V(SOP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit, PDSO8 | UT2306-5.0V(SOP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2308L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2308L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305L-LV-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2305L-LV-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306-3.3V(DIP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit, PDIP8 | UT2306-3.3V(DIP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2306G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2305G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2304-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2304-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305G-H-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2305G-H-AE3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2305L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2306G-AE2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||