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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC020B12B1P-C
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 100000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0612 | WMSC020B12B1P-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC004H12B2P-D6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC004H12B2P-D6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040B12B1P-C
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC040B12B1P-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030B12B1P-F
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030B12B1P-F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC016H12B1P
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC016H12B1P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040B12B1P-C6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC040B12B1P-C6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC020S12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC020S12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC008H12B1P
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 153A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC008H12B1P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC008H12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 153A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC008H12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030B12B1P-C
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030B12B1P-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030S12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030S12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040S12B1P6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC040S12B1P6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC011F12B2S
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 1200V, 0.014ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC011F12B2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC016F12B2S
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 1200V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC016F12B2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC040S12B1S-C6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 1200V, 0.045ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC040S12B1S-C6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC004H12B2S6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 227A I(D), 1200V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC004H12B2S6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC016F12B2S6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 1200V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WMSC016F12B2S6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC005H12B2P-D
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC005H12B2P-D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC030F12B1P-B6T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC030F12B1P-B6T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WMSC005H12B2S-D
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WMSC005H12B2S-D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||