Showing 25 of 178 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M75120W-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M75120W-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263P-7L, 7 PIN | WNSC2M60120B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D801200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D801200W6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200CWQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D101200BT26J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-263AB | WNSC2D101200BT26J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M70065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M70065R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D301200CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D301200CWQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D30650WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D30650WQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D151200BT26J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-263AB | WNSC2D151200BT26J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200CW-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 25A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200CW-A6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC201200W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC201200W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120W-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M60120W-A6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M100065B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M100065B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M150120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M150120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M150120B7-A6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M150120B7-A6J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M75120R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53.9A I(D), 1200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M75120R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D08650TJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D08650TJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M30120B7-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 1200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M30120B7-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D051400D6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D051400D6J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M43065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20120B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120R-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M60120R-A6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M55065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065W6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M70065B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M70065B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D021200
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D021200 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||