Showing 25 of 303 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBQ-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBQ-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-B-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-B-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N60G-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-C-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N60G-C-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N60G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N60G-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CB-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CB-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CB-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CB-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBS-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBS-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBS-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBS-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-C-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N60G-C-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-A-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-A-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-B-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-B-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-E-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N60G-E-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N60G-TC2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-E-T6C-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N60G-E-T6C-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-C-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N60G-C-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBQ-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBQ-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBQ-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBQ-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CB-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CB-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBQ-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBQ-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-CBS-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-CBS-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N60G-TC-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||