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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764TX
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6764TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766TXV
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6766TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6767R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 350V, 5.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6767R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6763
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6763 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6769R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 11A, 450V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 2N6769R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6763
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6763 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6760 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6768T1E3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6768T1E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6766 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6764R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6764R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6761
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6761 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6764-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766TX
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6766TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6763R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6763R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6766-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766E3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6766E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6768SCC5205/013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 2N6768SCC5205/013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6766-QR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6766 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766T1
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | 2N6766T1 |
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2N6760
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6760 |
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