Showing 25 of 179 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N6771
Plessey Semiconductors Ltd
|
1 | Transistor | 2N6771 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770T1E3
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6770T1E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6770 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6771-6255
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6771-6255 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6773-6263
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6773-6263 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772-6258
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6772-6258 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772-6265
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6772-6265 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6770 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6773-6264
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6773-6264 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6773-6264
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6773-6264 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770R1
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6770R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770T1E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6770T1E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772
Plessey Semiconductors Ltd
|
1 | Transistor | 2N6772 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770
Fairchild Semiconductor Corporation
|
0 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6770 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772-DR6259
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6772-DR6259 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6771-6226
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6771-6226 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6771-6226
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6771-6226 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772-DR6280
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6772-DR6280 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772-6200
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6772-6200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6772-6200
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6772-6200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6771-6264
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6771-6264 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6770
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6770 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6773-6258
Intersil Corporation
|
1 | 1A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6773-6258 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6771-6203
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6771-6203 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N6773-6200
Harris Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6773-6200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||