Showing 25 of 445 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6784 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6786LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782LCC4-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.69ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | 2N6782LCC4-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6782R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782-QRR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6782-QRR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39 | 2N6788 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788LR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.5A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6788LR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786TX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788.MODR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 100V, 0.345ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788.MODR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6781
Topaz Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6781 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788ECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788ECPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6781
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6781 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6786R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 60V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6787 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6788LCC4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6784 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3-Pin TO-39 | 2N6784 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6782-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6782 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782E
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782E |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6788LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||