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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801LCC4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2N6801LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800SCC5205/019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800SCC5205/019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801-SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6801-SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801LCC4E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 1.5ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6801LCC4E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800TX
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6802SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6806
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6806 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6806SCC5206/004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 200V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 2N6806SCC5206/004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6800LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801LCC4-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 1.5ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6801LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6800 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2N6801-SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800SCC5205/019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800SCC5205/019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,3A I(D),TO-39 | 2N6800 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6804
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6804 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800TXV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800TXV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802.MODR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802.MODR1 |
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