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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6851E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6851E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6851R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6851R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6851EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6851EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6851EC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6851EC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6851E
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6851E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N685A
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin TO-48 Box | 2N685A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6851
Harris
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1 | 2N6851 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N6851U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | JANTX2N6851U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANHCA2N6851
Intersil Corporation
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1 | 4000mA, 200V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, DIE-3 | JANHCA2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N6851
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | JANTXV2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N6851U
International Rectifier
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0 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | JANS2N6851U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N6851
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | JANS2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N6851
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | JANTXV2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANHCA2N6851
International Rectifier
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0 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 | JANHCA2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N6851
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | JANTX2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N6851
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | JANS2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANKCA2N6851
International Rectifier
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0 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 | JANKCA2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N6851
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | JANTX2N6851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N6851U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | JANTXV2N6851U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CX02N685K
KEMET Corporation
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, 6.8uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | CX02N685K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JAN2N6851
Intersil Corporation
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0 | POWER, FET | JAN2N6851 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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500P42N685JL4H
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 5% +Tol, 5% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 6.8uF, | 500P42N685JL4H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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500P52N685JM3H
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 5% +Tol, 5% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 6.8uF, | 500P52N685JM3H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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101P52N685LL4H
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 15% +Tol, 15% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 6.8uF, | 101P52N685LL4H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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101P52N685JK4C
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 5% +Tol, 5% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 6.8uF, | 101P52N685JK4C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||