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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANHCB2N7236
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANHCB2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANKCA2N7236
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANKCA2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-7230B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 723ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-2512N-7230B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-7232T
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 72300ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-2512N-7232T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7236U
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANTXV2N7236U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JAN2N7236
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JAN2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RS92N723R00BB
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Foil, 0.5W, 723ohm, 0.1% +/-Tol, 2ppm/Cel, Through Hole Mount, 3010 | RS92N723R00BB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7237
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTXV2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1202N723D-TR-FE
New Japan Radio Co Ltd
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1 | Switching Regulator | R1202N723D-TR-FE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANHCA2N7237
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANHCA2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JAN2N7236U
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JAN2N7236U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1202N723B-TR-FE
Nisshinbo
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1 | PWM Step-up DCDC Converter for White LED/PMOLED and General Use with Shutdown Function | R1202N723B-TR-FE |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0402N-7230T
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 723ohm, 25V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-0402N-7230T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7237
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.51ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7237U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANTXV2N7237U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RS92N723R00TB
Vishay Precision Group Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Foil, 0.5W, 723ohm, 0.01% +/-Tol, 2ppm/Cel, Through Hole Mount | RS92N723R00TB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7237
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTX2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RSK22N723RB
Vishay Sfernice
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1 | RESISTOR, 0.1 W, 0.1 %, 25 ppm, 723 ohm, SURFACE MOUNT, 0202, CHIP, GREEN | RSK22N723RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1202N723B-TR-FE
New Japan Radio Co Ltd
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1 | Switching Regulator | R1202N723B-TR-FE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7236U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANTX2N7236U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-7231B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 7230ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-2512N-7231B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JAN2N7237U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JAN2N7237U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7237
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7236D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTXV2N7236D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7236D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTX2N7236D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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