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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2672
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTO-3P, 3 PIN | 2SK2672 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2617
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI, 3 PIN | 2SK2617 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2628
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI, 3 PIN | 2SK2628 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2635
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.6ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-65, TO-3PB, 3 PIN | 2SK2635 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2676
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTO-3P, 3 PIN | 2SK2676 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2673-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2673-4012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2685ZT-UL
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, CMPAK-4 | 2SK2685ZT-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2680
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI, 3 PIN | 2SK2680 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2602(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,6A I(D),TO-247VAR | 2SK2602(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2684(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2684(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2675-4000
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2675-4000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2675
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN | 2SK2675 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2669
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SK2669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2684S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SK2684S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2635
onsemi
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,3.5A I(D),TO-252VAR | 2SK2635 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2640-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN | 2SK2640-01MR |
0
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2SK2663-4101
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 900V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2663-4101 |
0
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2SK2603(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB | 2SK2603(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2618
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2618 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2682
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI-LS, 3 PIN | 2SK2682 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2696-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 700V, 1.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 2SK2696-01MR |
0
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2SK2616TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP-FA, 4 PIN | 2SK2616TP-FA |
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2SK2616TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 4 PIN | 2SK2616TP |
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2SK2676-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2676-4012 |
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2SK2634
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2634 |
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