Showing 25 of 1627 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3564(STA4,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3564(STA4,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3572-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3572-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3572-ZK-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3572-ZK-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3503-T2-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3503-T2-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3571-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3571-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359RF
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, TO-92 | 2SK359RF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3566(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3566(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359DRR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SK359DRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3503
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3503 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3541PT
CHENMKO Enterprise Co Ltd
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1 | Transistor | 2SK3541PT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 | 2SK359-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3571-Z
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3571-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3576-L-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3576-L-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3510-S-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 2SK3510-S-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3544
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 450V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3544 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3544(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3544(TE24L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3599-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3599-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3574-ZK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3574-ZK-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3550-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3550-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3577
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3577 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3573-Z-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3573-Z-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3507-ZK-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3507-ZK-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3513-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3513-01SJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3573-ZK-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | 2SK3573-ZK-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3577(0)-T1B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3577(0)-T1B-AT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||