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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A150JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000015uF, Surface Mount, 1206 | 1206A150JAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL8060CHAPT441
Shanghai Belling Co Ltd
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1 | Regulator | BL8060CHAPT441 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A121MAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00012uF, Surface Mount, 1206 | 1206A121MAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT48M80L
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT48M80L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP90JDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A180KAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 1.8e-05uF, Surface Mount, 1206 | 1206A180KAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4M100K
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1200V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT4M100K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M70LVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT40M70LVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STDAPT4.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4MHz Nom | FC4STDAPT4.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45M60BFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT45M60BFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4SC60SA
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM) | APT4SC60SA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CS-427-DFC-APT4B
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | CS-427-DFC-APT4B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4020BVFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4020BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4530BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4040AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT4040AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M70B2VFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M70B2VFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ60BCT
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247AD | APT40DQ60BCT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DC60HJ
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 40A, 600V V(RRM), Silicon Carbide | APT40DC60HJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT451R1BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 9A, 450V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT451R1BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GF120JRDQ2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT40GF120JRDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4030BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18.5A, 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT4030BNR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A101PAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 100% +Tol, 0% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0001uF, Surface Mount, 1206 | 1206A101PAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A1R0BAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000001uF, Surface Mount, 1206 | 1206A1R0BAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C222FAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 1% +Tol, 1% -Tol, X7R, 15% TC, 0.0022uF, Surface Mount, 0805 | 0805C222FAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DFF-APT4C
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DFF-APT4C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||