Showing 25 of 1244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10026L2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10026L2FLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10050LVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10050LVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1BNG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT1001R1BNG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003R5GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1KV V(BR)DSS,3A I(D),TO-257AA | APT1003R5GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040LVRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10040LVRG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RSVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001RSVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100S20BE3
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT100S20BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10050B2FLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10050B2FLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002R4BNR-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1002R4BNR-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002R4BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 1000V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT1002R4BNR-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002R4BNR-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 1000V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1002R4BNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1BFLC
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11A, 1000V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1001R1BFLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1BFLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1001R1BFLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GT120JRDQ4
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT100GT120JRDQ4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10026JNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10026JNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RBN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001RBN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040CFN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,INDEPENDENT,1KV V(BR)DSS,24.5A I(D) | APT10040CFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10050JN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.5A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10050JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RBN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1001RBN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R3BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R3BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GT120JU3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT100GT120JU3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RBNR-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7A, 1000V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1002RBNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RBNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1002RBNR-GULLWING |
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APT10040B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10040B2VFR |
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APT1003RKFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT1003RKFLL |
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