Showing 25 of 193 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003SU-G1
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.3A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 | APT13003SU-G1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13005DT-G1
Diodes Incorporated
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13005DT-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003EZTR-G1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 465V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13003EZTR-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT130N65JC6
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 650V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT130N65JC6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003EZ-G1
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN | APT13003EZ-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120BDQ1
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT13GP120BDQ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120BG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT13GP120BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003AZTR-E1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor | APT13003AZTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13/2/8
Block USA Inc.
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1 | Power Transformer | APT13/2/8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003BZTR-E1
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | APT13003BZTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120B
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT13GP120B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003BZTR-E1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor | APT13003BZTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13005SU-G1
Diodes Incorporated
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1 | Power Bipolar Transistor, 3.2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13005SU-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13F120S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT13F120S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120BDF1
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT13GP120BDF1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT130GL60JN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 130A, 600V, N-CHANNEL IGBT, ISOTOP-4 | APT130GL60JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003NZTR-G1
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 530V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | APT13003NZTR-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003EZ-E1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 465V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13003EZ-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120S
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA | APT13GP120S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13005T-E1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13005T-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13003HZ-G1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 465V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13003HZ-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13005TF-G1
Diodes-BCD
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | APT13005TF-G1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT130SM70J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT130SM70J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120BDQ1G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT13GP120BDQ1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT13GP120BDQ1
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT13GP120BDQ1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||