Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M80AFN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,INDEPENDENT,350V V(BR)DSS,58A I(D) | APT35M80AFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,15A I(D),TO-254ISO | APT3530CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35-101DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,25A I(D),CHIP / DIE | APT35-101DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 350V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT3525BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,9A I(D),TO-3 | APT3580AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3540AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3507FN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,60A I(D),F-PACK SIP | APT3507FN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3530BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M80AFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT35M80AFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M42DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT35M42DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120SG/TR
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120SG/TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,21A I(D),TO-258VAR | APT3525HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3525HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3580CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120J
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,8.5A I(D),TO-257ISO | APT3565GN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11 A, 350 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3565BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT3540BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120B
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GN120B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120L2DQ2G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GP120B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT3565DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3565DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||