Showing 25 of 162 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT5545BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 17A, 550V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5545BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT551R3DN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R3DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5560BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5560BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5530AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor | APT5530AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5570AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,10.5A I(D),TO-3 | APT5570AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5531BFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 550V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5531BFLLG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5570BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 12A, 550V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5570BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5545HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,15.5A I(D),TO-258ISO | APT5545HN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT551R2CN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor | APT551R2CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT551R6CN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R6CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5514FN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,43A I(D),F-PACK SIP | APT5514FN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT551RAN
Advanced Power Technology
|
1 | Transistor | APT551RAN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5513B2FLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5513B2FLLG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT551R3AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R3AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5523SFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5523SFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5531BFLL
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 550V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5531BFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5532AN
Advanced Power Technology
|
1 | Transistor | APT5532AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT55GF60BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 55A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | APT55GF60BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5570BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 12A, 550V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5570BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5523SFLL
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5523SFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5514DN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5514DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5510JFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 550V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5510JFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5540AN
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT551R2DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,8A I(D),CHIP / DIE | APT551R2DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT55M65JFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 550V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M65JFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||