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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6017B2FLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6017B2FLLG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT60GF60JU3 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030DN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT6030DN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6013B2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | APT6013B2FLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6070BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT6070BN-GULLWING |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6021BLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT6021BLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GF120JRD
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 115A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT60GF120JRD |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D40LCTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 400V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60D40LCTG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60JR
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT60GT60JR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030SN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6030SN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D60LCTG
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60D60LCTG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ120LCT
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT60DQ120LCT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R6AN
Microsemi Corporation
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1 | 6A, 600V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | APT601R6AN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030BN-BUTT
Microsemi Corporation
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1 | 23A, 600V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT6030BN-BUTT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60JRD
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES | APT60GT60JRD |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R2BN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,8A I(D),TO-247AD | APT601R2BN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6011B2VRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6011B2VRG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6029BFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT6029BFLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D30LCTG
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 300V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60D30LCTG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6011B2VFR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | APT6011B2VFR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6010LLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT6010LLLG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030BVRG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT6030BVRG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D100SG
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | APT60D100SG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6017LLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT6017LLLG |
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APT60-101DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT60-101DN |
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