Showing 25 of 435 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8043BFLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8043BFLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60B2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60B2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 5.5A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT802R4BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4BNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8058HVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8058HVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10.5A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT8090HN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8075BVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052SLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8052SLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7A, 800V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT801R2CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030JN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030JN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030JNFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030JNFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020JFLLE3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 800V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020JFLLE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8018JN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 800V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8018JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8090BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020B2FLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020B2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020JFLL
Microchip Technology Inc
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0 | FREDFET MOS 7 800 V 200 mOhm SOT-227 | APT8020JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4GN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | APT802R4GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT8090DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020B2LL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020B2LL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT806R5KN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT806R5KN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052SFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8052SFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT802R4BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60B2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60B2 |
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APT8090BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 12A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT8090BNR |
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