Showing 25 of 134 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819W
Bytesonic Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WSRIG
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819WSRIG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WSL
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819WSL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
Tak Cheong Electronics (Holdings) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819W
Silicon Standard Corp
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819W
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
MCC
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1 | Small Signal Schottky Diodes | B5819WS |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819W
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Schottky barrier rectifier B5819W with 40 V maximum DC blocking voltage, 1 A average forward current, low forward voltage drop, high surge capability, and SOD-123 surface mount package for low voltage, high frequency applications. | B5819W |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819LWT
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | B5819WT Schottky barrier diode in SOD-523 package with 40V peak repetitive reverse voltage, 350mA forward current, low forward voltage drop, and 10ns reverse recovery time. | B5819LWT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WT
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | B5819WT Schottky barrier diode in SOD-523 package features 40 V peak repetitive reverse voltage, 350 mA forward current, low forward voltage drop, low reverse capacitance of 50 pF, and fast recovery time of 10 ns. | B5819WT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WSFL
AK Semiconductor
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1 | Schottky barrier rectifier in SOD-323FL package with reverse voltage ratings of 20V, 30V, and 40V for B5817WSFL, B5818WSFL, and B5819WSFL respectively, 1A average forward current, low forward voltage drop, and high surge capability. | B5819WSFL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819W
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon | B5819W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Schottky Diodes, Case Style : SOD-323; IF (mA) : 1000; VRRM (V) : 40; IFSM (A): 25; VF (V) : 0.9; @IF (A) : 3000; IR (µA) TA=25ºC: 1000 | B5819WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819LW
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Schottky barrier diode in SOD-123 surface mount package with 40 V peak reverse voltage, 1 A forward current, low forward voltage drop of 0.60 V at 1 A, and 120 pF diode capacitance. | B5819LW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WL
Shikues Semiconductor
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1 | Metal silicon junction, guarding, low power loss, high efficiency, high current, low forward voltage, high surge capability. | B5819WL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
JCET Group
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1 | Schottky barrier diode in SOD-323 package, rated for 20V to 40V peak reverse voltage, 1A average rectified current, 1.5A repetitive peak forward current, and 250mW power dissipation. | B5819WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Schottky barrier rectifier with 20 V to 40 V maximum DC blocking voltage, 1 A average forward current, low forward voltage drop, high surge capability, and SOD-323 surface mount package. | B5819WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WSE
Shikues Semiconductor
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1 | 40V, 1.0A, Low VF, SOD-323HE, 5.4mg, for low voltage, high frequency inverters. | B5819WSE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WSL
Micro Commercial Components
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0 | Rectifier Diode, 40V V(RRM) | B5819WSL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WX
CREATEK Microelectronics
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1 | Schottky barrier diode in SOD-323F package with 40 V peak reverse voltage, 1 A average rectified current, low forward voltage drop of 0.6 V at 1 A, and 250 mW power dissipation. | B5819WX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819WS
SLKOR
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1 | B5819WS |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B5819W-G
JCET Group
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1 | Schottky barrier diode in SOD-123 package, rated for 20V to 40V peak reverse voltage, 1A average rectified current, 500mW power dissipation, with low forward voltage and fast switching for high frequency applications. | B5819W-G |
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B58195XP-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM), Silicon | B58195XP-TP-HF |
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B58195XP-TP
Micro Commercial Components
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM), Silicon | B58195XP-TP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||