Showing 25 of 268 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M8L140J
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF2425M8L140J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF245B
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF245B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF245C
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF245C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF245
Advanced Semiconductor, Inc.
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1 | RF MOSFET Transistors RF Transistor | BLF245 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF246B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF246B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF241
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | BLF241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF246B
Advanced Semiconductor Inc
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0 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF246B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M7L140
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF2425M7L140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M7L250P
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF2425M7L250P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF245
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF245 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M8L140U
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF2425M8L140U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M9L30
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF2425M9L30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF245
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF245 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF245B,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF245B,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M9LS30
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF2425M9LS30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF242
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF242 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF248
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF248 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M7L250P,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF2425M7L250P,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M7LS140,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF2425M7LS140,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF241E
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | BLF241E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF244
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF244 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF246
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF246 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF241
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF246B
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF246B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF2425M6L180P
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF2425M6L180P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||