Showing 25 of 791 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129-E6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129-E6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP121-TAPE-13
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6ohm, 1-Element, Silicon | BSP121-TAPE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP121TRL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP128-TAPE-7
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP128-TAPE-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP123E-6327
Siemens
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1 | 0.38A, 100V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP123E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126TRL13
YAGEO Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 250V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP125H6433
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP125H6433 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP125E-6327
Siemens
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1 | 0.12A, 600V, 45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP125E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP123L6433
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 100V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP123L6433 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP124-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 250V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP124-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129L6327XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6327XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP127T/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP127T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122-TAPE-13
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122-TAPE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP120
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP120TC
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120TC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126,135
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126,135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP121T/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122TRL13
YAGEO Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP120115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP121
YAGEO Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP128TRL13
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP128TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122TRL
YAGEO Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129H6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129H6906 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||