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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104SL
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 55V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104SL |
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BUZ100SLE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ100SLE3045 |
0
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BUZ102SL
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102SL |
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BUZ102SL-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 55V, 0.033ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ102SL-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100S-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 55V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100S-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102SLE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ102SLE3045 |
0
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BUZ104SE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ104SE3045A |
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BUZ103S-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 55V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ103S-4 |
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BUZ104SLE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ104SLE3045A |
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BUZ102S-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 55V, 0.028ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ102S-4 |
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BUZ100SLE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ100SLE3045A |
0
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BUZ100SL
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100SL |
0
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BUZ101
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101 |
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BUZ102SLE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ102SLE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SL-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 55V, 0.055ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ103SL-4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104SLE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ104SLE3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SLE3045A
Rochester Electronics LLC
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1 | 28A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | BUZ103SLE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102AL
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100SE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ100SE3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3044 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104L
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104SL-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 55V, 0.125ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ104SL-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103 |
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