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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC20-500
Regal Electronics
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1 | Power Transformer, 10VA | EPC20-500 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2034
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2065
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | EPC2065 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2045ENGRT
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2045ENGRT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2010CENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2010CENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2014
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2029ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2029ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2067
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 40V, 0.00155ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2067 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2033
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 150V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | EPC2033 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2027ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2039
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2039 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2015CENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2015CENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2018
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 150V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2014C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2014C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2016C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2016C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2027
Efficient Power Conversion
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2027 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2007
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2010C
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2010C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2020ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2020ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2030ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2030ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2012CENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2012CENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2012
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC20-45
Regal Electronics
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1 | Power Transformer, 1VA | EPC20-45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2037ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2037ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2001
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | EPC2001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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