Showing 25 of 401 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GG
Shikues Semiconductor
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1 | Surface Mount, 50-600V, 1A, Solderable per MIL-STD-750, SMA Case, 0.055g | ES1GG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF
JCET Group
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1 | ES1AF-ES1JF super fast recovery rectifier diodes in SMAF package feature repetitive peak reverse voltage from 50V to 600V, average forward current of 1.0A, surge current capability up to 30A, and low reverse recovery time.ES1AF through ES1JF Super Fast Recovery Rectifier Diodes in SMAF package, with repetitive peak reverse voltage from 50V to 600V, average forward current 1.0A, and surge current capability up to 30A.ES1AF through ES1JF are SMAF-packaged super fast recovery rectifier diodes with repetitive peak reverse voltage from 50V to 600V, average forward current of 1.0A, and surge current capability up to 30A. | ES1GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF4
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GF4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Surface Mount Superfast Recovery Rectifier ES1AF through ES1JF with reverse voltage from 50 to 600 V, forward current of 1 A, low profile SMAF package, and fast reverse recovery time for surface mounted applications. | ES1GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GFL
MCC
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0 | Super Fast Recovery Rectifiers | ES1GFL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GE3G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GE3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF3G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GF3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GM2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GM2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF4G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GF4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF
SLKOR
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1 | Surface Mount, 50-600V, 1A, SMAF, 27mg, -55 to +150°C, Lead Free, RoHS. | ES1GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GL
JCET Group
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1 | Super Fast Recovery Rectifier Diodes in SOD-123FL package with repetitive peak reverse voltage from 50V to 600V, average forward current of 1.0A, and surge current capability up to 30A. | ES1GL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GFA
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | Fast Recovery Diode, Case Style : SMAF; IAV (A) : 1; VRRM (V) : 400; IFSM (A) : 30; VF (V): 1.25; @IAV (A): 1; IR (µA) TA=25ºC: 5; TRR (nS) : 35 | ES1GFA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1G (ER1G)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Superfast recovery rectifier diode with 400V maximum voltage, 1A forward current, 35ns recovery time, and SMA package. | ES1G (ER1G) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF
Shikues Semiconductor
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1 | Surface Mount, Low Profile, Glass Passivated, Superfast Recovery, Lead Free, SMAF Case, 27mg. | ES1GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GE2G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GE2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GE2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GE2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF (ER1GF)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Super fast recovery rectifier diode in SMAF surface mount package, with reverse voltage ratings from 50V to 600V, low forward voltage drop, high surge current capability, and reverse recovery time specified at 30ns, designed for high-efficiency power applications.Super fast recovery rectifier diode in SMAF surface mount package, with reverse voltage ratings from 50V to 600V, low forward voltage drop, high surge current capability, and reverse recovery time of 30ns, suitable for high-efficiency power applications.Super fast recovery rectifier diode in SMAF surface mount package, with reverse voltage ratings from 50V to 600V, low forward voltage drop, high surge current capability, and reverse recovery time of 30ns, suited for high-efficiency power applications.Super fast recovery rectifier diode in SMAF surface mount package, with reverse voltage ratings from 50V to 600V, low forward voltage drop, high surge current capability, and reverse recovery time typically in nanoseconds, suited for high-efficiency power applications. | ES1GF (ER1GF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GW
Shikues Semiconductor
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1 | Surface Mount, 50-600V, 1A, SOD-123FL, low profile, superfast recovery. | ES1GW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount super fast rectifier diodes with 50 to 600 V reverse voltage, 1.0 A average rectified current, 30 A peak forward surge current, low forward voltage drop, and 35 ns reverse recovery time. | ES1GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GM2G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GM2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GE3
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GLRH
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | ES1GLRH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GN
Lite-On Semiconductor Corporation
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1 | Rectifier Diode | ES1GN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1GLMHG
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | ES1GLMHG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES1G-TP
Micro Commercial Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES1G-TP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||