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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M83-LFT2F4N60-0000-000
Harwin
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1 | Board Connector | M83-LFT2F4N60-0000-000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABXGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAXHSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAXGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAEGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAEGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAVHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAVHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAXHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAASGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAASGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAVHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAVHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABXHSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABVGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIF4N60(TO-251)
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
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1 | Transistor | SIF4N60(TO-251) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF4N60
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
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1 | Transistor | FF4N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KGF4N60
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | KGF4N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABVHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABEGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABEGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAXHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AOTF4N60L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AOTF4N60L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABXGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAXGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAEHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAEHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABVGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABSHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABVGSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAVHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N60JAAVHSN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||