Showing 25 of 209 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6637_F085
onsemi
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1 | -35V, -21A, 11.6mΩ, DPAK P-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FDD6637_F085 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6670AS_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6670AS_NL |
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FDD6606
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6606 |
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FDD6680AS
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6680AS |
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FDD6672A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6672A_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6680AS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6680AS |
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FDD6676AS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6676AS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6635
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 35V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6635 |
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FDD6670S
Rochester Electronics LLC
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1 | 64A, 30V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6670S |
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FDD6637_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FDD6637_F085 |
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FDD6670AL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6670AL |
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FDD6676S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6676S |
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FDD6670A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6670A_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6670AS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6670AS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6676
Rochester Electronics LLC
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1 | 78A, 30V, 0.0075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6676 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6612A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6612A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6680AS
Rochester Electronics LLC
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1 | 55A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD6680AS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6670A
Rochester Electronics LLC
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1 | 15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6670A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB2010FDD665M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 665000000ohm, 300V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP | HGCB2010FDD665M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS0805FDD66K5
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 66500ohm, 600V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCS0805FDD66K5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512FDD665M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 6.65e+08ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDD665M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512FDD66M5
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 6.65e+07ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDD66M5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2010FDD66M5
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 6.65e+07ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010 | HVCG2010FDD66M5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS1206FDD665M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 6.65e+08ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HVCS1206FDD665M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UHVS4020FDD665M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, 665000000ohm, 12000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 4020, CHIP | UHVS4020FDD665M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||