Showing 25 of 570 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1035R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 150V, 10ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1035R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1016R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.18ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1016R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1030T
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 0.26ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1030T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1016REL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.18ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1016REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1016REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.18ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1016REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1065T-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 10ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1065T-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1033TEL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 0.1ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1033TEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1097R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1097R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1072H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1072H-EL-E |
0
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HAT1023R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1023R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1021REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.085ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1021REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1021REL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.085ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1021REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1029R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.23ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1029R |
0
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HAT1016R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.18ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1016R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1051T
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1051T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1025R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1025R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1016R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.18ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1016R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1033T
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1033T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1055R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1055R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1059C
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1059C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1047RJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1047RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1032TEL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.1ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1032TEL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1031TEL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 0.28ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1031TEL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1029R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.23ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1029R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1021R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1021R-EL-E |
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