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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2035R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 150V, 5.5ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2035R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2077R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.003A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2077R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2039R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2039R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2020R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2020R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2049T
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2049T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2026R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2026R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2083R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2083R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2025R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2025R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2033R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2033R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2024R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2024R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2089R
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.002A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2089R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2040REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2040REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2058R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2058R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2060RJ
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2060RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2022R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2022R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2085R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.002A I(D), 200V, 0.64ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2085R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2027REL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.053ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2027REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2085R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 0.64ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2085R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2029REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.04ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2029REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2036R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2036R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2019R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2019R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2071R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2071R-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2016REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2016REL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2037T
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2037T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2016RJ
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | Dual N-Channel 30-V MOSFET in SO-8 package with 0.022 ohm RDS(on) at VGS = 10 V, 15 nC gate charge, and 6 A continuous drain current, compliant to RoHS and halogen-free standards. | HAT2016RJ |
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