Showing 25 of 108 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S4L-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S4L-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R650CEAUMA1 |
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IPD50N06S3L-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S3L-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L-13
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 55V, 0.0126ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N06S3L-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3L-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S3-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3-09 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S309ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S309ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R280CEBTMA1 |
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IPD50N06S4L12ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4L12ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R3K0CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R3K0CEBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R800CEATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S4L-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4L-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S4-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 40V, 0.0079ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N04S4-08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R520CPBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R520CPBTMA1 |
0
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IPD50R380CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.1A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R380CEBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N08S4-13
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N08S4-13 |
0
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IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon
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1 | 55 V, N-Ch, 12.7 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™ | IPD50N06S2L13ATMA2 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R1K4CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R520CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R520CP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R950CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | IPD50R950CEBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N08S413ATMA1
Infineon
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1 | 80 V, N-Ch, 13.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2 | IPD50N08S413ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N06S4-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4-09 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S4-10
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 40V, 0.0093ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N04S4-10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50P03P4L-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50P03P4L-11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R950CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R950CE |
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