Showing 25 of 108 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50N04S410ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S410ATMA1 |
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IPD50N06S3-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3-07 |
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IPD50P04P413ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40V, 0.0126ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50P04P413ATMA1 |
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IPD50N06S4L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4L-08 |
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IPD50R399CPBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R399CPBTMA1 |
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IPD50R500CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R500CEATMA1 |
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IPD50N04S309ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S309ATMA1 |
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IPD50R380CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.1A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R380CEBTMA1 |
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IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R280CEBTMA1 |
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IPD50N06S4L12ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4L12ATMA1 |
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IPD50R520CPBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R520CPBTMA1 |
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IPD50R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R1K4CE |
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IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R800CEATMA1 |
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IPD50N08S4-13
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N08S4-13 |
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IPD50R3K0CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R3K0CEBTMA1 |
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IPD50N04S4-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 40V, 0.0079ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N04S4-08 |
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IPD50N06S4L-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4L-12 |
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IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon
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1 | 55 V, N-Ch, 12.7 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™ | IPD50N06S2L13ATMA2 |
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IPD50R2K0CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IPD50R2K0CEBTMA1 |
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IPD50N06S4-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S4-09 |
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IPD50N06S2L-13
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S2L-13 |
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IPD50N12S3L15ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 120V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N12S3L15ATMA1 |
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IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R950CEATMA1 |
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IPD50N04S4-10
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 40V, 0.0093ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD50N04S4-10 |
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IPD50N12S3L-15
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 120V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N12S3L-15 |
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