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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD60R3K4CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R3K4CEAUMA1 |
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IPD60R800CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R800CEATMA1 |
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IPD60R400CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R400CEATMA1 |
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IPD60R600CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD60R600CP |
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IPD60R950C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R950C6ATMA1 |
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IPD60R750E6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R750E6BTMA1 |
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IPD60R950C6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R950C6BTMA1 |
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IPD60R145CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R145CFD7 |
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | IPD60R2K0PFD7SAUMA1 |
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IPD60R385CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD60R385CP |
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IPD60R380P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R380P6 |
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IPD60R280P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R280P7 |
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IPD60R1K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R1K0CE |
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IPD60R950C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R950C6 |
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IPD60R2K0PFD7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | IPD60R2K0PFD7S |
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IPD60R3K3C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R3K3C6 |
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IPD60R170CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R170CFD7 |
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IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600P6ATMA1 |
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IPD60R360P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R360P7S |
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IPD60R380E6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R380E6ATMA1 |
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R1K5PFD7SAUMA1 |
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IPD60R600P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600P7 |
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IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | IPD60R280PFD7SAUMA1 |
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IPD60R650CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R650CE |
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IPD60R380E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R380E6 |
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