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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R080P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R080P7 |
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IPP60R099C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099C6XKSA1 |
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IPP60R520C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R520C6XKSA1 |
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IPP60R330P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R330P6XKSA1 |
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IPP60R190C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R190C6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R330P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R330P6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R160C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R160C6 |
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IPP60R520C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R520C6 |
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IPP60R600CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600CPXKSA1 |
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IPP60R450E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R450E6XKSA1 |
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IPP60R380P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R380P6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | IPP60R210CFD7XKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R074C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R074C6XKSA1 |
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IPP60R950C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R950C6 |
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IPP60R600C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R600E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600E6XKSA1 |
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IPP60R180C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R180C7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R950C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R950C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R280C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R280C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099CPAAKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R450E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R450E6 |
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IPP60R070CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R070CFD7 |
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IPP60R600CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600CP |
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IPP60R160P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R160P7 |
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IPP60R600P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600P6 |
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