Showing 25 of 533 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC75.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 75ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC75.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-004 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-024PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S10.00OHMSK
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 10ohm, 10% +/-Tol | IRF100S10.00OHMSK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-002PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF1010-013 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010ESTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010ESTRLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010N-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 72A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010N-003PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100NS1.50KOHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 1500ohm, 5% +/-Tol | IRF100NS1.50KOHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-012PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 81A, 60V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010E-019PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S1OHMD
Nikkohm Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 250W, 1ohm, 0.5% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF100S1OHMD |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 81A, 60V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010E-017PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100C15.00OHMSK
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 15ohm, 10% +/-Tol | IRF100C15.00OHMSK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010NS
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010NS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1010S |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 75A, 55V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010-011PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010EHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | IRF1010EHR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 81A, 60V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010E-018PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S750.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 750ohm, 5% +/-Tol | IRF100S750.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF1010E-003 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100NC2.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 2ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC2.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-006PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S1OHMG
Nikkohm Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 250W, 1ohm, 2% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF100S1OHMG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||