Showing 25 of 308 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF241R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF241R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER1R2K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IRF24ER1R2K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF240-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF243
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,16A I(D),TO-204AE | IRF243 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240SMDR4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240SMDR4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER102K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 1000uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER102K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER680K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER680K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF246
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF246 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204 | IRF240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER681K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 680uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER681K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF241
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,18A I(D),TO-204AE | IRF241 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF243
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF243 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF240EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240-QR-EB
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF240-QR-EB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER120K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 12uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER120K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF242R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF242R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER271K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 270uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER271K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER221K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 220uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER221K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ERR10M
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.1uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ERR10M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF245
Rochester Electronics LLC
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1 | 13A, 250V, 0.34ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF245 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240SM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ERR56M
Vishay Dale
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1 | IND CHOKE 560NH 20% 25.2MHZ 40 FERRITE 950MA AXL - Tape and Reel | IRF24ERR56M |
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