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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-004PBF |
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IRF3205-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-030 |
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IRF3205-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-013 |
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IRF3205SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3205SPBF |
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IRF3205-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-007PBF |
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IRF3205-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-006 |
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IRF3205-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-031 |
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IRF3205-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-029PBF |
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IRF3205ZSTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3205ZSTRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205ZSTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3205ZSTRR |
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IRF3205-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-010PBF |
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IRF3205-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-009PBF |
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IRF3205-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-005 |
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IRF3205-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-024PBF |
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IRF3205L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3205L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205LTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3205LTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-007
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-007 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205HR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205HR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205LTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3205LTRR |
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IRF3205-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-005 |
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IRF3205-029PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-029PBF |
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