Showing 25 of 197 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF343
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF343 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF340-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3415S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340SMD-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF340SMD-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF340EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415SHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3415SHR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF340ED |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF340EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF342
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF340-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3415STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF341
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF341 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF340-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF343
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204 | IRF343 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF340PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF342
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF342 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF343
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF343 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||