Showing 25 of 294 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6620PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6620PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6674TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6674TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633ATR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633ATR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6611TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6611TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6674TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6674TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6668TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6668TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6621PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6621PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6648PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6648PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6631TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6631TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6655TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6655TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6619
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6619 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6611TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6611TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6665
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6665 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6619
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6619 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6613
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6613 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6620PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6620PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6646TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6646TR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6646
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6646 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6638TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6638TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||