Showing 25 of 809 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-006PBF |
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IRF730AJ
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730AJ |
0
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IRF733-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF733-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7341PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7341PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF730SPBF |
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IRF730CHIP
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730CHIP |
0
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IRF7316TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7316TR |
0
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IRF7353D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7353D1 |
0
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IRF7380PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 80V, 0.073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7380PBF |
0
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IRF733
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF733 |
0
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IRF732-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-001PBF |
0
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IRF730-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-017 |
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IRF7304PBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7304PBF-1 |
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IRF734-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF732 |
0
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IRF734-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-010 |
0
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IRF7311TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7311TR |
0
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IRF733-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF733-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF732 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF734-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF731-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF731-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7304TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.09ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7304TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7324TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7324TR |
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IRF730-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730LPBF |
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