Showing 25 of 341 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820BJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820BJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820ASTRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820ASTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820CF
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.8A I(D),TO-220AB | IRF820CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF823 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820SR
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820SR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820FPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820FPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 450V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF823-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF821-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820ASTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820ASTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF821 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB | IRF820 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820U
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820U |
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IRF820
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820 |
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