Showing 25 of 470 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC42-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC42-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC10LC-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC10LC-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC30-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC30-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC20
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC20-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC20-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40LCPBF-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFBC40LCPBF-BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC40-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC40-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC42
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC42 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC32-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC32-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC20STRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFBC20STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC42-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC42-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC10LC-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC10LC-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40LC-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC40LC-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40SPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC40SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC10LC-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC10LC-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFBC40LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC42-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC42-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC10LC-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 600V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFBC10LC-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC40-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC10LC-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC10LC-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC40ASTRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC32-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBC32-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBC40-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBC40-018PBF |
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