Showing 25 of 114 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | IRFE9230PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230SCXPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9230SCXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9123
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | IRFE9123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9110PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9110PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | IRFE9120PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9130SCV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.1A, 200V, 1.725ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9220E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.825ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.825ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9230E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.6A, 200V, 0.825ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9230E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC4-18 | IRFE9120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.3A, 200V, 3.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9210-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9220-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.3A, 200V, 3.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.69ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC4-18 | IRFE9120-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-JQR-AE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130-JQR-AE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.6A, 200V, 0.825ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9230-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230SCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9230SCXPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-JQR-BE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9130PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.1A, 200V, 1.725ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9220-JQR-BE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 200V, 3.45ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9210-JQR-BE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||