Showing 25 of 114 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM250DR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM250DR1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 18A, 200V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM240-QR-B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM240-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM260UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM260UPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | IRFM250-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM254
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | IRFM254 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | IRFM250U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM240-QR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM260D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM260D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | IRFM250UPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM224B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.92A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM224B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | IRFM240DPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | IRFM240U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM224BD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.92A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM224BD84Z |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | IRFM250 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM220A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, SOT-223, 4 PIN | IRFM220A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, ISOLATED TO-254AA, 3 PIN | IRFM250 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 18A, 200V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM240-JQR-BR1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM214BL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM214BL99Z |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM210A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM210A |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM220ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM220ATF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM224BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM224BTF_FP001 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM214B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM214B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM260DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM260DPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM210AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM210AL99Z |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||