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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3607TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS3607TRR |
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IRFS3107TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS3107TRLPBF |
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IRFS340B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | IRFS340B |
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IRFS3507PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS3507PBF |
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IRFS3207ZPBF-EL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3207ZPBF-EL |
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IRFS30N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRFS30N20DPBF |
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IRFS3307ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3307ZTRRPBF |
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IRFS3307ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3307ZTRLPBF |
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IRFS3207
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS3207 |
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IRFS33N15DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS33N15DTRRPBF |
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IRFS3307ZPBFTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3307ZPBFTRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3307ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3307ZPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3806TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFS3806TRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3306TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3306TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3307PBF
Infineon
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1 | IRFS3307PBF N-Channel MOSFET Transistor, 130 A, 75 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon | IRFS3307PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3004TRL7PP
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFS3004TRL7PP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS31N20DTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRFS31N20DTRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS38N20DTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS38N20DTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS340
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, FULL PACK-3 | IRFS340 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3207
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS3207 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3107-7PPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB, LEAD FREE, D2PAK-7/6 | IRFS3107-7PPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3004TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS3004TRRPBF |
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IRFS3006TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS3006TRRPBF |
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IRFS38N20D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRFS38N20D |
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IRFS353
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | IRFS353 |
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