Showing 25 of 114 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7440PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7440PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7530TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7530TRLPBF |
0
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IRFS7534TRL7PP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | IRFS7534TRL7PP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7787TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7787TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS720B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS720B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7734TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7540PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7540PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7430TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS7430TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7530PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7530PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7537TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7537TRLPBF |
0
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IRFS721
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS721 |
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IRFS731
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS731 |
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IRFS7430PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS7430PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7730TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7730TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7730PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7730PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7540PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7540PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS740A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS740A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7437PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7437PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7537PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7537PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7437-7PPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS7437-7PPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS723
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS723 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS720A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS720A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7734-7PPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7734-7PPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS7434TRL7PP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS7434TRL7PP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS722
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS722 |
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