Showing 25 of 217 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL9N60ATRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL9N60ATRR |
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IRFSL4310ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4310ZTRLPBF |
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IRFSL4310ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4310ZTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL17N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL17N20D |
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IRFSL7537PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL7537PBF |
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IRFSL4610TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4610TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL7734PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL7734PBF |
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IRFSL31N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL31N20D |
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IRFSL59N10D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL59N10D |
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IRFSL4410ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4410ZTRLPBF |
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IRFSL4310ZTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4310ZTRLPBF |
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IRFSL4610TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4610TRRPBF |
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IRFSL7534PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL7534PBF |
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IRFSL11N50A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL11N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3207PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3207PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3206PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3206PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL9N60A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL9N60A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL4310TRRZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 127A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFSL4310TRRZPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL4228TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL4228TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL11N50APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL11N50APBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL9N60APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL9N60APBF |
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IRFSL3107
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3107 |
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IRFSL38N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL38N20D |
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IRFSL3307PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3307PBF |
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