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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF597110SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF597110SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF58034CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHF58034CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF58130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF58130 |
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IRHF57034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRHF57034 |
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IRHF57230SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF57230SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF57234SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF57234SE |
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IRHF58Z30PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF58Z30PBF |
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IRHF54130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF54130PBF |
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IRHF54Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF54Z30 |
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IRHF593130SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF593130SCS |
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IRHF58130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF58130 |
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IRHF53Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF53Z30 |
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IRHF57214SESCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF57214SESCS |
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IRHF58230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF58230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF57230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF57230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF58034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRHF58034 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF57130SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF57130SCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF57230SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF57230SCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF53034SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF53034SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF53Z30
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF53Z30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF54034
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRHF54034 |
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IRHF53230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF53230 |
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IRHF597130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF597130 |
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IRHF593230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.54ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF593230 |
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IRHF55034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHF55034 |
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