Showing 25 of 143 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRHMS57260SEPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57260SEPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS57064PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS6S7260
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS6S7260 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS54064PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS54064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS57064PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS57160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS57064
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS63260
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMS63260 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS63260
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS63260 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS6S3264
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS6S3264 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS58160PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS58160PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS57160
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS67160A
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS67160A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS64160
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS64160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS63160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMS63160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS58064PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS58064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS6S7160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS6S7160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS58064
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS58064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS63264
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMS63264 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS67260SCS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS67260SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS67264A
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS67264A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS9A93064
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS9A93064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS63164
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS63164 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS58Z60
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS58Z60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHMS597Z60PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS597Z60PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||