Showing 25 of 317 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ63230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ63230PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ6S3234
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 250V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ6S3234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57230PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ53230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ53230PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597034PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ9A3234
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ9A3234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57234SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57234SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ93130SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ93130SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ53130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ53130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57230SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57230SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ93130SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ93130SCV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ3230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ3230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57234SE
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57234SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7430SE
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.77ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7430SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ63230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ63230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597230SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.505ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597230SCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57130B
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57130B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57234SESCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57234SESCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57034
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593034SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ593034SCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ9A7130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ9A7130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7330SE
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.39ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7330SE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597130B
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597130B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ593Z30PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||