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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXTD11N80
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD11N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXTD15N70
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD15N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD13N80
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD13N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD12N90-L
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD12N90-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXTD10P50
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD10P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXTD14N100
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 0.82ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD14N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD10N100
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD10N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXTD13N80
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD13N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXTD10N100
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD10N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXTD15N70
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD15N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXTD13N80
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD13N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD10P50
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD10P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXTD15N60
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD15N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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W-IXTD12N90-L
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD12N90-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXTD12N100
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD12N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T-IXTD10N90-L
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXTD10N90-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||